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功率晶体管（射频功率器件）一般指双极型功率晶体管。双极型功率晶体管（bipolarpowertransistor）最普及的一种功率晶体管，通常简称功率晶体管。其中大容量型又称巨型晶体管，简称GTR。功率晶体管一般为功率集成器件，内含数十至数百个晶体管单元。
如图1是功率晶体管的符号，其上e、b、c分别代表发射极、基极和集电极。按半导体的类型，器件被分成NPN型和PNP型两种，硅功率晶体管多为前者。
长晶功率晶体管主要参数：
- 集电极电流IC：-10A~10A
- 集电极最大允许耗散功率PCM：0.75W~2W
- 反向击穿电压VCBO：-400V~400V
- 反向击穿电压VCEO：-400V~400V
- 反向击穿电压VEBO：-7.5V~7V
- 最小直流电流增益hFE：10~400
- 最大直流电流增益hFE：50~2000
| 功率晶体管热销型号推荐 | ||
|---|---|---|
| BU406 | PZTA44 | D882M |
| 2SD1138 | PZTA06 | MJD31C |
| TIP31C | CZT32C | MJD41C |
| KTD1351 | BCP55 | 2SD1815 |
| KTA1276 | B772 | MJD42C |
| 2SD880 | 2SD882 | 2SB1184 |
| 2SC2073 | 2SC3303 | MJE171 |
| 2SB834 | MJD42C | KSB1151 |
| FZT955 | 2SD1760 | BD442 |
| D882 | B772M | BD034 |
