长晶(JSCJ) 三端稳压集成电路

长晶三端稳压集成电路，与线性稳压器LDO产品性能相似，但由于为双极型工艺制造，使用电流驱动模式，导致产品静态功耗通常高于采用CMOS 工艺制作的LDO。三端稳压集成电路提供基准电压源的模拟IC，具有不受电源和温度的影响的功能，在电路中能提供稳定的电压。

长晶三端稳压集成电路核心技术：

长晶三端稳压集成电路，静态功耗比传统的宽输入电压稳压器低，能够充分满足日益严格的待机功耗要求。内部软启动时间和折返电流限制可减小启动期间的浪涌电流，从而最大限度降低输入电容。高带宽 PSRR 性能在 120Hz时大于 70dB，因此有助于衰减上游供电电源的噪声，并最大限度减少后置稳压器滤波压力。

长晶三端稳压集成电路主要参数：

• 最大正向电流Io(max)：-1500mA~1500mA
• 最大输入电压Vin(max)：-35V~40V
• 输出电压Vout：-15V~18V
• 静态电流Iq：-6.5mA~8mA
• 精度：2%；3%；4%